據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)4月20日消息，近日，全球最大半導(dǎo)體代工企業(yè)臺(tái)積電（TSMC）加入日本國(guó)家項(xiàng)目“尖端半導(dǎo)體制造計(jì)劃開(kāi)發(fā)”。

據(jù)悉，日本于2021年正式啟動(dòng)該項(xiàng)目，目標(biāo)是“把半導(dǎo)體制造技術(shù)留在日本”。項(xiàng)目由日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所、東電電子、佳能、TSMC日本3DIC研究開(kāi)發(fā)中心、先端系統(tǒng)技術(shù)研究組合等機(jī)構(gòu)參與，預(yù)計(jì)五年內(nèi)提供760億日元經(jīng)費(fèi)。臺(tái)積電在日本的研究基地“TSMC日本3DIC研發(fā)中心”計(jì)劃與日本共同開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體制造中的三維后工序技術(shù)“3DIC”。

據(jù)悉，該項(xiàng)目是日本新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開(kāi)發(fā)機(jī)構(gòu)（NEDO）從2019年度開(kāi)始推進(jìn)的部分業(yè)務(wù)。項(xiàng)目以擁有最先進(jìn)潔凈室的產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所為基地，該研究所位于茨城縣筑波市，企業(yè)和大學(xué)在這里研發(fā)邏輯半導(dǎo)體的制造技術(shù)。

半導(dǎo)體制造工藝分為“前工序”和“后工序”，前者是指在硅基板上使用曝光設(shè)備等形成電路的工序，后者是指分割后進(jìn)行組裝的工序。該項(xiàng)目也按照這兩種工序設(shè)定了研究課題，二者共同的關(guān)鍵詞是“三維（3D）”。

具體來(lái)看，前工序方面，該項(xiàng)目致力于開(kāi)發(fā)被稱(chēng)為“納米片”的最先進(jìn)元器件技術(shù)，有消息認(rèn)為2025年以后3D納米片型將成為主流。后工序方面，該項(xiàng)目將確立縱向堆疊電路的技術(shù)。需要注意的是，三維集成化是打破“摩爾定律”極限的有力技術(shù)。先進(jìn)封裝近來(lái)受到較大關(guān)注，尤其是硅通孔技術(shù)，3D集成將縱向堆疊芯片，利用晶圓級(jí)封裝和硅通孔等先進(jìn)封裝技術(shù)，以達(dá)到提高性能的目的。